ساخت ریزتراشه های سه بعدی با استفاده از نانوسیم های تک بلوری

محققان دانشگاه استنفورد با ارائه روش جدیدی برای ساخت و خالص سازی لایه های بلوری توانستند ، به ساخت ریز تراشه های سه بعدی کمک کنند.در این روش با نشست ژرمانیوم چند بلوری بر روی سیلیکون تک بلوری و حرارت دادن آن ، لایه های ژرمانیوم تک بلوری با جهت گیری خاصی سلاخته می شوند.

یکی از ملزومات ساخت ریزتراشه ها ، داشتن بلورهایی با چیدمان اتمی کامل است.محققان همیشه به دنبال راهی برای استفاده همزمان از چندلایه های بلوری در یک تراشه بوده اند تا بتوانند IC های سه بعدی بسازند.این IC ها نسبت به IC های معمولی دارای تعداد زیادتری هادی در واحد سطح است و در نتیجه سرعت انتقال جریان بیشتری هم دارند.

چالش موجود در اینجا ، ساخت بلورهایی با مقیاس بسیار کوچک است ف بطوری که بتواند روی ریزتراشه قرار گیرد.برای ساخت این بلورها محققان دانشگاه استنفورد یک لایه از فلز موردژرمانیوم ، که دارای ساختار چندبلوری است را روی بستر سیلیکون نشست دادند.در واقع لایه های زیرین (سیلیکون) بصورت تک بلوری بوده و نانو سیم ژرمانیوم بصورت چند بلوری روی آن نشست داده می شود.با گرم کردن بستر سیلیکونی پدیده نوبلوری در نانوسیم ژرمانیوم اتفاق می افتد و ژرمانیوم بصورت تک بلوری رشد می کند.در این حالت بلور ژرمانیوم دارای نوعی جهت گیری همانند بستر سیلیکونی خواهد شد.در واقع چند بلوری های ژرمانیوم با جهت گیری های مختلف تبدیل به تک بلوری ها با جهت گیری مشخص می گردند.با این روش میتوان تعداد نامحدودی تک بلور را روی هم قرار داده ، مدارهایی را با دانسیته های بالا ایجاد کرد.